單晶硅作為信息時代的基石，被廣泛應用于芯片制造和微電子器件當中。但是這種脆性材料，容易引發組件斷裂失效，而使器件喪失功能性。

5月29日，Nature Communications發表了題為“Achievingmicron-scale plasticity and theoretical strength in Silicon”的研究論文。報道了經過表面處理的單晶硅，在微米和納米尺度展現優越的機械性能，此外還觀察到了全新的由尺寸調控的形變機理和缺陷行為。這種方法加工的單晶硅強度（CRSS~4 GPa）接近理論值，彈性極限明顯升高，更為驚喜的發現是單晶硅在室溫條件下，首次在微米尺度展現出了塑性，首次觀察到了由尺寸調控的新機制，這使得研究人員對單晶硅的形變機理和缺陷行為又有了新的認識。

尺寸調控的形變機理，納米尺度內為全位錯，微米尺度內則為孿晶和層錯。

為了讓大家更了解相關研究，

我們將邀請了論文第一作者

瑞士蘇黎世聯邦理工學院陳銘博士在線分享

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